M2639ZC400西码整流管中频电源设备配件经久耐用

LED封装	无色透明封装（T）	功率特性	中功率
发光颜色	正白	封装	陶瓷封装
封装形式	功率型	封装材料	陶瓷封装
材料	硅	电压	1200
电流	600	结构	合金型
频率特性	中频

M2639ZC400西码整流管中频电源设备配件经久耐用

整流二极管是由硅半导体材料制成的，采用面接触型二极管结构，如图一所示。由于采用面接触结构，硅整流二极管的特点是工作频率低、允许的工作温度高，允许通过的正向电流大，反向击穿电压高。整流二极管在电路中的主要作用是将交流电变成直流电，以适应各种电子设备。

早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个

PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，

晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间

电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流

和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
晶体二极管，简称二极管（diode）；它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个

零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体

二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有

自建电场。当不存在外加电压时，由于PN 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引

起的漂移电流相等而处于电平衡状态

二极管是常用的电子元件之一，它大的特性就是单向导电，也就是电流只可以从二极管的

一个方向流过，二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路，主要都是由

二极管来构成的，其原理都很简单，正是由于二极管等元件的发明，才有我们现 在丰富多彩

的电子信息世界的诞生，既然二极管的作用这么大那么我们应该如何去检测这个元件呢，其实

很简单只要用万用表打到电阻档测量一下反向电阻如果很小就说明这个二极管是坏的，反向电

阻如果很大这就说明这个二极管是好的。对于这样的基础元件我们应牢牢掌握住他的作用原理

以及基本电路，这样才能为以后的电子技术学习打下良好的基础
晶体二极管一般可用到十万小时以上。但是如果使用不合理，他就不能充分发挥作用，甚至很快地被损坏。要合理地使用二极管，必须掌握他的主要参数，因为参数是反应质量和特性的。
高工作频率fM（MC）----二极管能承受的高频率。通过PN结交流电频率高于此值，二极管接不能正常工作。
高反向工作电压VRM（V）----二极管长期正常工作时，所允许的高反压。若越过此值，PN结就有被击穿的可能，对于交流电来说，高反向工作电压也就是二极管的高工作电压。
大整流电流IOM（mA）----二极管能长期正常工作时的大正向电流。因为电流通过二极管时就要发热，如果正向电流越过此值，二极管就会有烧坏的危险。所以用二极管整流时，流过二极管的正向电流（既输出直流）不允许超过大整流电流

上海聚肯电子科技有限公司二极管主要应用
经过多年来科学家们不懈努力，半导体二极管发光的应用已逐步得到推广，目前发光二极管广
泛应用于各种电子产品的指示灯、光纤通信用光源、各种仪表的指示器以及照明。发光二极管
的很多特性是普通发光器件所无法比拟的，主要具有特点有：安全、率、环保、寿命长、
响应快、体积小、结构牢固。因此，发光二极管是一种符合绿色照明要求的光源 [3] 。目前
，发光二极管在很多领域得到普遍应用，下面介绍几点其主要应用：
（1）电子用品中的应用
发光二极管在电子用品中一般用作屏背光源或作显示、照明应用。从大型的液晶电视、电脑显
示屏到媒体播放器MP3、MP4以及手机等的显示屏都将发光二极管用作屏背光源 [3] 。
（2）汽车以及大型机械中的应用
发光二极管在汽车以及大型机械中得到广泛应用。汽车以及大型机械设备中的方向灯、车内照
明、机械设备仪表照明、大前灯、转向灯、刹车灯、尾灯等都运用了发光二极管。主要是因为
发光二极管的响应快、使用寿命长（一般发光二极管的寿命比汽车以及大型机械寿命长） [3]

。
（3）煤矿中的应用
由于发光二极管较普通发光器件具有效率高、能耗小、寿命长、光度强等特点，因此矿工灯以
及井下照明等设备使用了发光二极管。虽然还未完全普及，但在不久将得到普遍应用，发光二
极管将在煤矿应用中取代普通发光器件 [3] 。
（4）城市的装饰灯
在当今繁华的商业时代，霓虹灯是城市繁华的重要标志，但霓虹灯存在很多缺点，比如寿命不
够长等。因此，用发光二极管替代霓虹灯有着很多优势，因为发光二极管与霓虹灯相比除了寿
命长，还有节能、驱动和控制简易、无需维护等特点。发光二极管替代霓虹灯将是照明设备发
展的必然结果

上海聚肯电子科技有限公司晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并
建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场
引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互
相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和
自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍
增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn
结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分

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正向性
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用
，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当
正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压而迅速上
升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的
正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长
，二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的
正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。